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주식 경제 비즈니스/기업 소개

태양광관련주 티씨케이에 대해 알아보자

Finance Blog 2018. 7. 26.
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티씨케이에 대해 알아보자


태양광 테마 관련주 티씨케이에 대해 알아보도록 하겠습니다.


1. 티씨케이는 무슨 회사??

2. 티씨케이의 성장

3. 티씨케이 사업


이렇게 알아보도록 하겠습니다.




1. 티씨케이는 무슨 회사??

티씨케이는 쯔지마사후미, 박영순 대표이사가 이끌어 가고 있습니다.

티씨케이는 1996년 한국도카이카본(주)으로 설립되어 반도체, 태양전지를 만드는 장비의 부품으로 사용되는 인조흑연과 국내 유일하게 국산화에 성공한 LED Chip 생산용 Susceptor, 반도체 장비용 SiC-Ring, SiC-Wafer 등을 제조, 판매하는 회사입니다.

2001년 상호를 티씨케이로 변경하고, 2003년 코스닥 상장을 하였습니다.


티씨케이의 주주현황입니다.

도카이카본주식회사가 티씨케이 주식 63.71%의 지분을 차지하고 있습니다.


티씨케이 주식의 외국인 보유율입니다.

현재53.17%입니다.


아래의 2개 회사는 티씨케이 주주회사들입니다.

Tokai Carbon Co.,Ltd.

KC CO.,LTD


티씨케이 조직도


티씨케이 공장

경기도 안성시 미양면 개정산업단지 내에 위치하고 있습니다.

대지 약 6500평 위에 가공공정에서부터 초고순도 코팅과정에 이르기까지 일괄시스템을 구축하여 고객에 맞는 최적의 제품을 생산하고 있습니다.


티씨케이의 주요거래처

삼성, SK하이닉스, 한화케미칼, LG이노텍, 웅진, OCI 등이 있습니다.




2. 티씨케이의 성장

티씨케이의 주가 차트입니다.

2015년 8월부터 현재까지의 주가 흐름인데 우상향의 모습을 보여주고 있습니다.


티씨케이의 재무제표입니다.

매출액과 영업이익, 당기순이익 모두 성장하고 있습니다.

2018년 1분기 기준 전년 동기 대비 매출액이 65% 증가하였습니다.

외형성장의 영향으로 매출원가 및 판관비가 전년 동기 대비 각각 50.7%, 103.4% 증가했음에도 불구하고 영업이익77% 증가한 133억원을 기록하였습니다.

비영업부문에서도 2.7억원의 이익을 기록함에 따라 이익폭이 확대되어 당기순이익은 전년동기 대비 76.6% 상승한 105.8억원을 기록하였습니다.


이제 티씨케이가 어떻게 성장을 해왔는지 알아보도록 하겠습니다.




티씨케이 연혁


1996년 한국도카이카본(주) 설립


1997년 1공장준공


1998년 ISO9001 : 1994 인증


2001년 국무총리상 수상(상공업진흥)

유망중소기업 선정(경기도)

상호변경(주식회사 티씨케이)


2003년 코스닥 상장


2004년 신기술, 신경영 대상 (코리아헤럴드)


2005년 기업부설연구소 설립


2006년 InnoBiz 인증(중소기업청)

ISO14001 : 2004 인증


2007년 디지털 이노베이션 대상 (산업자원부 장관상)


2008년 2008 녹색에너지 우수기업 대상 (태양전지용 초고순도 흑연제품부문)


2010년 LED Susceptor 상용화


2011년 2공장 준공


2013년 CVD SiC Ring 상용화


2014년 Carbon Chuck for Poly Si Reactor 상용화


2015년 본점이전 (경기도 안성시 개정산업단지)

대중소기업 기술협력대상(중소기업청장상)

벤처 활성화 유공(산업통상자원부 장관상)

무역의 날 유공(산업통상자원부 장관상)

대한민국 기술대상(산업통상자원부 장관상)


2016년 KOSHA18001 인증

무역의 날 2천만불 수출의 탑 수상, 산업포장 수상


2017년 무재해 4배 달성

Lam supplier day, 2016 supplier Excellence Award

AMAT Accelerated Growth & Performance Award

3천만불 수출의 탑 수상

2018년 청년친화강소기업 선정

2017 주성엔지니어링 우수 협력사 수상


2018년 2017 삼성 원자재/부품 우수 협력사 수상




3. 티씨케이 사업

High Purity Graphite Components

반도체용 실리콘 Wafer 및 태양전지용 Wafer를 생산하기 위한 Crystal Grower 장비부품과 고온에 강항 고순도 흑연부품입니다.


Susceptors

LED용 MOCVD 및 반도체용 silicon Epi Susceptors


SiC Coated Components

Graphite 소재로부터의 Out Gassing과 Particle발생을 억제하고 불순물을 감소시키기 위한 고순도 및 SiC 코팅 처리 부품입니다.


Solid SiC Components

CVD 공법으로 생산한 부품, 특히 Plasma etcher chamber용 parts의 수명 연장 및 수율 개선을 위해 사용합니다.




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